名詞解釋核磁共振
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1.問(wèn)答題分立元件的測(cè)試。
2.問(wèn)答題模擬電路的測(cè)試
3.問(wèn)答題數(shù)字電路測(cè)試的流程。
4.問(wèn)答題基本注意事項(xiàng)。
5.問(wèn)答題靜電對(duì)電子器件的危害。
最新試題
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
題型:判斷題
硅中常見(jiàn)的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。
題型:判斷題
半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說(shuō)法。
題型:判斷題
GaAs晶體是()結(jié)構(gòu)
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
本征吸收
題型:名詞解釋
半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
題型:判斷題
AFM通常用來(lái)觀測(cè)樣品表面形貌。
題型:判斷題
所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。
題型:判斷題
有A和B兩種單質(zhì)晶體,我們知道A的晶格常數(shù)是5Å,帶隙是1.2eV,B的晶格常數(shù)是4Å,其帶隙有可能是()eV
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
MBE只能用于III-V族化合物的生長(zhǎng)。
題型:判斷題