一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達到了14nm量級

半導體中的價帶空穴電流其實就是導帶電子電流的一種等價說法。

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。

AFM通常用來觀測樣品表面形貌。

XPS只能檢測元素種類，無法標定元素含量。

PMOS的基底是p型半導體，所以叫PMOS。

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

陰極射線致發(fā)光

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。