本征吸收

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。

內(nèi)光電效應(yīng)

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

激活劑

光生伏特效應(yīng)

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。