TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

半導(dǎo)體中的價帶空穴電流其實就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價說法。

光生伏特效應(yīng)

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV