比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

集成電路電阻可以通過（）產生。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。