在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。

在PN 結(jié)形成過程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

普通二極管是由PN 結(jié)引出電極封裝而成的。

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。

自由電子是載流子，空穴不是。

純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。

結(jié)電容是常量。

試說明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。

試說明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。

根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。