試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴散特性。

與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。

淀積擴散主要受哪些因素的控制？

下列半導體材料熱敏特性突出的是（）

試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法，并說明當前實際工藝中使用的主要方法及理由。

結電容是常量。

在P 型半導體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

本征半導體導電性能很差。

舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。

在PN 結中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。