試說明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。

舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。

試說明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。

什么是擴(kuò)散的相互作用？試舉一例說明其對半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。

理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。

漂移運(yùn)動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。

結(jié)電容是常量。

關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）