半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）

若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。

薄層電阻

結(jié)電容是常量。

根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。

明兩步擴(kuò)散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點和目的。

發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)

與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。