明兩步擴散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點和目的。

關于PN 結的導電，下列敘述不正確的是：（）

在P 型半導體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

OED/ORD

試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。

在PN 結中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。

試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法，并說明當前實際工藝中使用的主要方法及理由。

漂移運動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

說明氧化氣氛對擴散有何影響及原因？