判斷題AFM通常用來觀測樣品表面形貌。
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2.判斷題通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。
3.單項(xiàng)選擇題光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
A.對光刻精度較高
B.光刻圖案密度較高
C.光刻的材料易于腐蝕
D.光刻的材料難以腐蝕
4.單項(xiàng)選擇題在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
A.腐蝕
B.離子注入
C.光刻
D.CVD
最新試題
陰極射線致發(fā)光
題型：名詞解釋
磁滯回線
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本征光電導(dǎo)
題型：名詞解釋
MBE只能用于III-V族化合物的生長。
題型：判斷題
平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級是相等的。
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有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV
題型：單項(xiàng)選擇題
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題型：判斷題
光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
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本征吸收
題型：名詞解釋
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
題型：判斷題