MOS管版圖一般匹配原則有（）。

外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括（）。

集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。

關(guān)于電路的層次，自下向上順序正確的是（）。

MOS結(jié)構(gòu)指的是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的簡稱。

版圖繪制時(shí)一般用哪個(gè)圖層來實(shí)現(xiàn)器件連接？（）

反相器的版圖一般用到幾個(gè)pitch？（）

如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。

STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。

以下工藝中，方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。