單項選擇題以下工藝中，方塊電阻是一個重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。
A.氧化
B.擴散
C.光刻
D.刻蝕
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1.單項選擇題在制作MOS管時，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。
A.溝道效應
B.鳥嘴效應
C.寄生效用
D.閂鎖效應
2.單項選擇題光刻時，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。
A.接觸式
B.接近式
C.投影式
D.步進式
3.單項選擇題源漏注入之后，必須進行（）工藝，修復晶格損傷，激活雜質(zhì)。
A.氧化
B.快速熱處理
C.退火
D.擴散
4.單項選擇題未進行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。
A.PSG
B.USG
C.BSG
D.FSG
5.單項選擇題我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。
A.場氧區(qū)
B.源、漏
C.柵
D.有源區(qū)
最新試題
MOS結(jié)構(gòu)指的是金屬氧化物半導體結(jié)構(gòu)的簡稱。
題型：判斷題
反相器的版圖一般用到幾個pitch？（）
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MOS管版圖一般匹配原則有（）。
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CMOS電路是通過有源區(qū)進行隔離的，屬于絕緣介質(zhì)隔離。
題型：判斷題
CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進行局部互連的材料是（）。
題型：單項選擇題
未進行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。
題型：單項選擇題
在制作MOS管時，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
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集成電路版圖物理驗證必須要做的步驟主要有哪些？（）
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源漏注入之后，必須進行（）工藝，修復晶格損傷，激活雜質(zhì)。
題型：單項選擇題