MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。

集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。

集成電路再分析軟件其處理的主要對象是（）。

光刻時，必須將硅片與掩模版進行對準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。

顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。

未進行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。

如果想在電路圖模式下編輯符號，可以選擇以下哪個命令？（）

無論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線性電容。

CMOS制作時，常常用作鈍化層的材料是（）。

源漏注入之后，必須進行（）工藝，修復(fù)晶格損傷，激活雜質(zhì)。