版圖設計的基本前提是什么？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

集成電容主要有幾種結構？

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。