問答題對1T DRAM,假設(shè)位線電容為1pF,位線預(yù)充電電壓為1.25V。在存儲數(shù)據(jù)為1和0時單元電容Cs(50fF)上的電壓分別等于1.9V和0V。這相當(dāng)于電荷傳遞速率為4.8%。求讀操作期間位線上的電壓擺幅。

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