問答題對1T DRAM,假設(shè)位線電容為1pF,位線預(yù)充電電壓為1.25V。在存儲數(shù)據(jù)為1和0時單元電容Cs(50fF)上的電壓分別等于1.9V和0V。這相當(dāng)于電荷傳遞速率為4.8%。求讀操作期間位線上的電壓擺幅。
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關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電,下列敘述不正確的是:()
題型:單項選擇題
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題型:問答題
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題型:判斷題
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題型:問答題
PN 結(jié)的單向?qū)щ娦耘c外加電壓頻率無關(guān)。
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題型:判斷題
試說明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。
題型:問答題
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題型:判斷題
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題型:問答題
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題型:問答題