刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。