進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。