填空題干法刻蝕適用于（） （粗/細）線條。
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1.判斷題擴散只用于淺結(jié)的制備
3.單項選擇題離子注入與熱擴散相比，哪個橫向效應(yīng)小（）
A. 離子注入
B. 熱擴散
4.單項選擇題
二氧化硅膜能有效的對擴散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件有哪些（）
①雜質(zhì)在硅中的擴散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴散系數(shù)
②雜質(zhì)在硅中的擴散系數(shù)小于在二氧化硅中的擴散系數(shù)
③二氧化硅的厚度大于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴散深度
④二氧化硅的厚度小于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴散深度
A.②④
B.①③
C.①④
D.②③
5.單項選擇題在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個需要的時間最長？（）
A.干氧
B.濕氧
C.水汽氧化
最新試題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
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鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
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三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
摻雜后，退火的目的是（）。
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下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標？（）
題型：單項選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項選擇題
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題