與IIW試塊相比，CSKⅠA試塊的優(yōu)點(diǎn)之一是可以測(cè)定斜探頭的分辨力。

串列法探傷適用于檢測(cè)垂直于探測(cè)面的平面缺陷。

檢測(cè)面準(zhǔn)備的目的是為了保證良好的聲耦合。

利用IIW試塊上的φ50孔兩側(cè)面的距離，只能測(cè)定直探頭盲區(qū)的大致范圍。

工件比較粗糙時(shí)，為防止探頭磨損和保護(hù)晶片，宜選用硬保護(hù)膜。

測(cè)定儀器垂直線性和動(dòng)態(tài)范圍時(shí)，應(yīng)將儀器的“抑制”和“深度補(bǔ)償”旋鈕置于關(guān)的位置。

斜探頭楔塊上部和前部開消聲槽的目的是使聲波反射回晶片處，減少聲能損失。

曲面工件探傷時(shí)，探傷面曲率半徑愈大，耦合效果愈好。

雙晶直探頭傾角越大，交點(diǎn)離探測(cè)面距離愈遠(yuǎn)，覆蓋區(qū)愈大。

盲區(qū)與始波寬度是同一概念。