判斷題如果外延速率偏低，只要增大外延氣體中硅源（如SiCl4）濃度，硅的氣相外延速率就會增加。
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2.單項選擇題磷在硅熔體與晶體中的分凝系數(shù)約為0.35，這使得液相摻雜拉制的摻磷硅錠的電阻率（）
A.軸向均勻
B.軸向遞減
C.軸向遞増
D.徑向遞減
4.多項選擇題關(guān)于拉單晶時進(jìn)行的縮頸步驟，下面的說法那種正確（）
A.可以多次縮頸
B.為了能拉出與籽晶相同的硅錠
C.為了終止籽晶中的線缺陷向晶錠的延伸
D.為了終止與籽晶結(jié)合處的缺陷向晶錠的延伸
最新試題
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項選擇題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項選擇題