多項(xiàng)選擇題D/A轉(zhuǎn)換電路按半導(dǎo)體器件區(qū)分,有()。

A.單極型CMOS
B.雙極型TTL
C.單極型ECL
D.單極型NMOS


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2.單項(xiàng)選擇題只讀存儲(chǔ)器向存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)時(shí),需要加入()。

A.使能片選信號(hào)
B.高電壓
C.存儲(chǔ)電荷
D.選通地址

3.單項(xiàng)選擇題DRAM2116結(jié)構(gòu)圖中增加了刷新計(jì)數(shù)器的目的是()。

A.周期為每列存儲(chǔ)單元刷新
B.周期為每行存儲(chǔ)單元刷新
C.周期進(jìn)行行譯碼
D.周期讀/寫數(shù)據(jù)

5.多項(xiàng)選擇題四管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元電路不需要靈敏恢復(fù)/放大電路的原因是()。

A.輸出高電平的電位足夠高
B.輸出低電平的電位足夠高
C.電容可以存儲(chǔ)電荷
D.用鎖存器的輸出存儲(chǔ)電平

最新試題

關(guān)于“一對(duì)一”編碼方案的說(shuō)法中,錯(cuò)誤的是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

雙向移位寄存器的數(shù)據(jù)輸入方式不包括()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

模擬量是()的,數(shù)字量是()的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

編碼器CD4532中,當(dāng)輸出為000時(shí),還需要通過(guò)()端口是否為高電平來(lái)判斷是否為正常編碼輸出。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在這個(gè)電路中,所有的半導(dǎo)體器件均處于開(kāi)關(guān)狀態(tài)。問(wèn)二極管的狀態(tài)有可能是哪些狀態(tài)?()?

題型:多項(xiàng)選擇題

若采用反饋異步清零法構(gòu)建9進(jìn)制的計(jì)數(shù)器,則反饋信號(hào)應(yīng)該根據(jù)()狀態(tài)來(lái)生成。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

觸發(fā)器對(duì)邊沿敏感,因此抗干擾能力比鎖存器更強(qiáng)。

題型:判斷題

555芯片的4腳可以直接控制輸出端3腳的電位,2腳也可以控制輸出端3腳的電位,6腳也可以控制輸出端3腳的電位,那么這三個(gè)引腳哪個(gè)的優(yōu)先級(jí)別最高?()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

卡諾圖法化簡(jiǎn)的時(shí)候,哪一項(xiàng)是錯(cuò)誤的?()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

顯示譯碼器74HC4511正常顯示譯碼時(shí),三個(gè)特殊功能輸入端LE、分別應(yīng)該預(yù)置為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題