問答題試說明氧化生長速率的基本定義及其物理含義,并說明影響氧化生長速率的主要工藝參數(shù),及他們對生長速率的主要影響。
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半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是()
題型:單項(xiàng)選擇題
若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通,則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。
題型:判斷題
發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)
題型:名詞解釋
什么是擴(kuò)散的相互作用?試舉一例說明其對半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。
題型:問答題
二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無關(guān)。
題型:判斷題
明兩步擴(kuò)散法的基本思想,及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。
題型:問答題
自由電子帶負(fù)電,空穴帶正電。
題型:判斷題
因電場作用所產(chǎn)生的運(yùn)動稱為擴(kuò)散運(yùn)動。
題型:判斷題
在PN 結(jié)中,P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。
題型:判斷題
根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式,給出本征硅,低濃度摻雜,N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。
題型:問答題