A.=
B.:=
C.<=
D.==
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A.可以進(jìn)行運(yùn)算和直接代入
B.不能進(jìn)行運(yùn)算和直接代入
C.不能進(jìn)行運(yùn)算但可以直接代入
D.可以進(jìn)行運(yùn)算但不能直接代入
A.AND
B.OR
C.XOR
D.NOT
A.結(jié)構(gòu)體對應(yīng)的實(shí)體的端口表中
B.結(jié)構(gòu)體中關(guān)鍵詞BEGIN前
C.結(jié)構(gòu)體中關(guān)鍵詞BEGIN后
D.程序包(PACKAGE)
A.結(jié)構(gòu)體(ARCHITECTURE)
B.進(jìn)程(PROCESS)中的關(guān)鍵詞BEGIN前
C.進(jìn)程(PROCESS)中的關(guān)鍵詞BEGIN后
D.程序包(PACKAGE)
A.ARCHITECTURE
B.ENTITY
C.PROCESS
D.PACKAGE
最新試題
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少?
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲器。
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
利用2個74LS138和1個非門,可以擴(kuò)展得到1個()線譯碼器。
7系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,要求輸入每變化20mV,輸出信號的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電,()中的信息能夠保持不變。
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是()
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是()