若在直流電路中硅二極管導通，則其導通電壓均可認為0.7V。

根據(jù)空位機制下的總擴散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重摻雜及P型重摻雜下的擴散系數(shù)公式。

列出并解釋替位雜質在硅中的三種主要擴散機制。

薄層電阻

舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。

發(fā)射區(qū)推進效應

因電場作用所產(chǎn)生的運動稱為擴散運動。

二極管存在最高工作頻率是因為PN 結有電容效應。

試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

淀積擴散主要受哪些因素的控制？