多項(xiàng)選擇題在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪種外延方法能生長雜質(zhì)陡變分布的薄外延層（）
A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE
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3.單項(xiàng)選擇題磷在硅熔體與晶體中的分凝系數(shù)約為0.35，這使得液相摻雜拉制的摻磷硅錠的電阻率（）
A.軸向均勻
B.軸向遞減
C.軸向遞増
D.徑向遞減
5.多項(xiàng)選擇題關(guān)于拉單晶時(shí)進(jìn)行的縮頸步驟，下面的說法那種正確（）
A.可以多次縮頸
B.為了能拉出與籽晶相同的硅錠
C.為了終止籽晶中的線缺陷向晶錠的延伸
D.為了終止與籽晶結(jié)合處的缺陷向晶錠的延伸
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進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
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CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
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金屬化中可選用的金屬材料有（）。
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刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
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濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
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題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題