影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。