您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.線缺陷
B.面缺陷
C.點(diǎn)缺陷
D.體缺陷
A.機(jī)械拋光法
B.化學(xué)拋光法
C.手工拋光法
D.機(jī)械--化學(xué)拋光法
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復(fù)合中心
A.纖鋅礦型；
B.閃鋅礦型；
C.六方對稱性；
D.立方對稱性
A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長
A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL
A.施主
B.受主
C.復(fù)合中心
D.兩性雜質(zhì)
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
可用作硅片的研磨材料是（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。