問答題我國(guó)墻體材料的改革趨勢(shì)是什么？墻體材料有哪幾大類？

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1.單項(xiàng)選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

A、位錯(cuò)
B、層錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯(cuò)

2.單項(xiàng)選擇題懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低

4.單項(xiàng)選擇題如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

A.施主
B.受主
C.復(fù)合中心
D.兩性雜質(zhì)

5.單項(xiàng)選擇題直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

A、6
B、2
C、4
D、5

6.單項(xiàng)選擇題原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

A.減小，減小
B.減小，增大
C.增大，增大
D.增大，減小

7.單項(xiàng)選擇題把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

A.改變禁帶寬度；
B.產(chǎn)生復(fù)合中心；
C.產(chǎn)生空穴陷阱；
D.產(chǎn)生等電子陷阱。

8.單項(xiàng)選擇題熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀

9.單項(xiàng)選擇題PN結(jié)的基本特性是（）

A.單向?qū)щ娦?br /> B.半導(dǎo)性
C.電流放大性
D.絕緣性

10.單項(xiàng)選擇題只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

A.線缺陷
B.面缺陷
C.點(diǎn)缺陷
D.體缺陷