結(jié)電容是常量。

根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。

什么是擴(kuò)散的相互作用？試舉一例說明其對半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。

PN 結(jié)的單向?qū)щ娦耘c外加電壓頻率無關(guān)。

點接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。

說明氧化氣氛對擴(kuò)散有何影響及原因？

試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說明當(dāng)前實際工藝中使用的主要方法及理由。

淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？

下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是（）