判斷題制作一硅晶體管芯片，在最后用熱氧化方法制備了一層SiO2作為保護(hù)層。
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1.單項(xiàng)選擇題通常掩膜氧化采用的工藝方法為（）
A.干氧
B.干氧-濕氧-干氧
C.摻氯氧化
D.低壓氧化
2.多項(xiàng)選擇題在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪種外延方法能生長雜質(zhì)陡變分布的薄外延層（）
A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE
5.單項(xiàng)選擇題磷在硅熔體與晶體中的分凝系數(shù)約為0.35，這使得液相摻雜拉制的摻磷硅錠的電阻率（）
A.軸向均勻
B.軸向遞減
C.軸向遞増
D.徑向遞減
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進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
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下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
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目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
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芯片粘接的工藝過程包括（）。
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多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
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下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
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封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
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鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
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