單項選擇題目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）
A.注氧隔離法
B.智能剝離法
C.鍵合再減薄技術
D.以上都是
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
A.制備硅烷
B.硅烷熱分解
C.精餾
D.固體吸附法
2.多項選擇題多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
A.印刷多層法
B.生板疊層法
C.磁控濺射法
D.厚膜多層法
3.單項選擇題厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
A.有機物顆粒
B.塑料顆粒
C.玻璃顆粒
D.陶瓷顆粒
4.單項選擇題典型的薄膜生長工藝一般采用物理氣相淀積法進行，以下不屬于物理氣相淀積工藝的為（）。
A.真空蒸鍍
B.濺射鍍膜
C.化學鍍
D.電鍍
5.多項選擇題鑒定加速試驗中，溫度相關的試驗包括（）。
A.恒溫試驗
B.功率溫度組合循環(huán)試驗
C.溫度循環(huán)試驗
D.熱沖擊試驗
最新試題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）
題型：單項選擇題
進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項選擇題
新的平坦化方法有哪幾個？（）
題型：多項選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項選擇題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題
光刻工藝對準誤差包括（）。
題型：多項選擇題
目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）
題型：單項選擇題
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題