單項(xiàng)選擇題封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
A.190度
B.157度
C.180度
D.175度
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1.多項(xiàng)選擇題互連工藝中AL的制備可選用（）。
A.電鍍
B.CVD
C.MBE
D.PVD
2.多項(xiàng)選擇題金屬化中可選用的金屬材料有（）。
A.銀
B.金
C.鋁
D.銅
3.單項(xiàng)選擇題進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
A.銅
B.鋁
C.鎢
D.金
4.單項(xiàng)選擇題化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
A.還原劑
B.分散劑
C.腐蝕介質(zhì)
D.磨料
5.多項(xiàng)選擇題CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
A.臺(tái)板
B.拋光液
C.拋光墊
D.夾持設(shè)備
最新試題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）
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摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
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鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
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題型：多項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：單項(xiàng)選擇題