填空題為了避免短溝道效應(yīng),可采用按比例縮小法則,當(dāng)MOSFET的溝道長度縮短一半時,其溝道寬度應(yīng)(),柵氧化層厚度應(yīng)(),源、漏區(qū)結(jié)深應(yīng)(),襯底摻雜濃度應(yīng)()。
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