填空題()存在二次擊穿現(xiàn)象,()存在擎住現(xiàn)象。

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3.單項(xiàng)選擇題IGBT是一個(gè)復(fù)合型的器件,它是()。

A.GTR驅(qū)動(dòng)的MOSFET
B.MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTR
C.MOSFET驅(qū)動(dòng)的晶閘管
D.MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTO

4.單項(xiàng)選擇題已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過(guò)晶閘管的電流()。

A.減小至維持電流以下
B.減小至擎住電流以下
C.減小至門極觸發(fā)電流以下
D.減小至5A以下

5.單項(xiàng)選擇題為限制功率晶體管的飽和深度,減少存儲(chǔ)時(shí)間,桓流驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)常采用()。

A.du/dt抑制電路
B.抗飽和電路
C.di/dt抑制電路
D.吸收電路

6.單項(xiàng)選擇題直流斬波電路是一種()變換電路。

A.AC/AC
B.DC/AC
C.DC/DC
D.AC/DC

7.單項(xiàng)選擇題桓流驅(qū)動(dòng)電路中加速電容C的作用是()。

A.加快功率晶體管的開通
B.延緩功率晶體管的關(guān)斷
C.加深功率晶體管的飽和深度
D.保護(hù)器件

8.單項(xiàng)選擇題電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中,控制角的范圍是()。

A.30°~150
B.0°~120°
C.15°~125°
D.0°~150°

9.單項(xiàng)選擇題

對(duì)于單相交交變頻電路如下圖,在t1~t2時(shí)間段內(nèi),P組晶閘管變流裝置與N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是()。

A.P組阻斷,N組整流
B.P組阻斷,N組逆變
C.N組阻斷,P組整流
D.N組阻斷,P組逆變

最新試題

清零端與脈沖信號(hào)的狀態(tài)無(wú)關(guān),所以叫做同步清零。

題型:判斷題

集成運(yùn)放的反相輸入端,當(dāng)輸入信號(hào)(ui1)由此輸入時(shí),輸出信號(hào)(u0)與輸入ui1同相。

題型:判斷題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)理想運(yùn)放,當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí),其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。

題型:判斷題

4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

交流放大電路接入負(fù)載電阻后,對(duì)靜態(tài)工作狀態(tài)無(wú)影響。

題型:判斷題

9個(gè)JK觸發(fā)器,通過(guò)電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

反相比例運(yùn)算電路,平衡電阻的求法:令ui=0,則uo=0,此時(shí)反相端對(duì)地總電阻值,即為所求平衡電阻值。

題型:判斷題

如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí),74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

反相比例運(yùn)算,放大倍數(shù)為5,輸入0.2v,輸出為()v。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題