單項(xiàng)選擇題為了后續(xù)連接方便，信號(hào)端一般用什么圖層引出?（）
A.active
B.poly
C.metal1
D.metal2
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1.單項(xiàng)選擇題版圖繪制時(shí)一般用哪個(gè)圖層來實(shí)現(xiàn)器件連接？（）
A.N-well
B.n-select
C.p-select
D.metal
2.單項(xiàng)選擇題版圖繪制應(yīng)該在哪個(gè)視圖中進(jìn)行？（）
A.layout
B.schematic
C.symbol
D.以上都不是
3.單項(xiàng)選擇題如果想在電路圖模式下編輯符號(hào)，可以選擇以下哪個(gè)命令？（）
A.Descend Edit
B.Descent Read
C.Edit in Place
D.Show Scope
4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于電路的層次，自下向上順序正確的是（）。
A.晶體管級(jí)別-門級(jí)-門級(jí)以上
B.門級(jí)-門級(jí)以上-晶體管級(jí)別
C.晶體管級(jí)別-門級(jí)以上-門級(jí)
D.門級(jí)-晶體管級(jí)別-門級(jí)以上
5.單項(xiàng)選擇題展現(xiàn)電路的邏輯電路連接的是哪種視圖模式?（）
A.layout
B.schematic
C.symbol
D.以上都不是
最新試題
無論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線性電容。
題型：判斷題
集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻時(shí)，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡(jiǎn)寫為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在制作MOS管時(shí)，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
反相器的版圖一般用到幾個(gè)pitch？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用四端器件繪制電路圖時(shí)，NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
MOS結(jié)構(gòu)指的是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)稱。
題型：判斷題
光刻時(shí)，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對(duì)準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。
題型：判斷題