單項選擇題光刻時，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。
A.接觸式
B.接近式
C.投影式
D.步進式
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題源漏注入之后，必須進行（）工藝，修復晶格損傷，激活雜質(zhì)。
A.氧化
B.快速熱處理
C.退火
D.擴散
2.單項選擇題未進行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。
A.PSG
B.USG
C.BSG
D.FSG
3.單項選擇題我們利用LOCOS技術制作MOS中的（）。
A.場氧區(qū)
B.源、漏
C.柵
D.有源區(qū)
4.單項選擇題顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。
A.負膠
B.正膠
C.光刻抗蝕劑
D.光阻
5.單項選擇題MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。
A.有源區(qū)
B.場區(qū)
C.襯底區(qū)
D.阱區(qū)
最新試題
我們利用LOCOS技術制作MOS中的（）。
題型：單項選擇題
MOS管版圖一般匹配原則有（）。
題型：多項選擇題
CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進行局部互連的材料是（）。
題型：單項選擇題
在制作MOS管時，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。
題型：單項選擇題
未進行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。
題型：單項選擇題
反相器的版圖一般用到幾個pitch？（）
題型：單項選擇題
光刻時，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。
題型：單項選擇題
STI技術相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會產(chǎn)生鳥嘴效應。
題型：判斷題
版圖繪制時一般用哪個圖層來實現(xiàn)器件連接？（）
題型：單項選擇題