單項選擇題版圖繪制應(yīng)該在哪個視圖中進(jìn)行？（）
A.layout
B.schematic
C.symbol
D.以上都不是
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1.單項選擇題如果想在電路圖模式下編輯符號，可以選擇以下哪個命令？（）
A.Descend Edit
B.Descent Read
C.Edit in Place
D.Show Scope
2.單項選擇題關(guān)于電路的層次，自下向上順序正確的是（）。
A.晶體管級別-門級-門級以上
B.門級-門級以上-晶體管級別
C.晶體管級別-門級以上-門級
D.門級-晶體管級別-門級以上
3.單項選擇題展現(xiàn)電路的邏輯電路連接的是哪種視圖模式?（）
A.layout
B.schematic
C.symbol
D.以上都不是
4.單項選擇題用四端器件繪制電路圖時，NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是（）。
A.接到源端
B.接到漏端
C.NMOS管襯底接地，PMOS管襯底接電源
D.NMOS管襯底接電源，PMOS管襯底接地
5.單項選擇題在組合電路中，NMOS管串聯(lián)實現(xiàn)的是什么邏輯？（）
A.非邏輯
B.與邏輯
C.或邏輯
D.異或邏輯
最新試題
CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。
題型：單項選擇題
摩爾定律中每一代集成電路上晶體管密度翻倍值是多少？（）
題型：單項選擇題
STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。
題型：判斷題
為了后續(xù)連接方便，信號端一般用什么圖層引出?（）
題型：單項選擇題
顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。
題型：單項選擇題
MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。
題型：單項選擇題
用四端器件繪制電路圖時，NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是（）。
題型：單項選擇題
集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。
題型：多項選擇題
展現(xiàn)電路的邏輯電路連接的是哪種視圖模式?（）
題型：單項選擇題
我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。
題型：單項選擇題