單項(xiàng)選擇題在PMOS中，襯底上加上正電壓偏置，會(huì)使閾值電壓（）。

A.增大
B.不變
C.減小
D.可大可小


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1.單項(xiàng)選擇題如果跨導(dǎo)減小，MOS晶體管的噪聲電流將（）。

A.減小
B.增大
C.不變
D.不確定

2.多項(xiàng)選擇題?在現(xiàn)代Si CMOS IC金屬化工藝中，Ti和TiN的作用是（）。

A.TiN是勢(shì)壘層（阻擋層）
B.兩個(gè)都是導(dǎo)電層
C.Ti是粘結(jié)層或焊接層
D.TiN防反射層

3.多項(xiàng)選擇題Poly-Si gate的刻蝕應(yīng)采用什么特性和什么方法的刻蝕？（）

A.濕法刻蝕
B.干法刻蝕
C.各向同性刻蝕
D.各向異性刻蝕

4.多項(xiàng)選擇題在STI工藝中，緩沖氧化層和氮化硅采用工藝技術(shù)正確的是（）。

A.氮化硅用常壓CVD工藝
B.氧化層用CVD工藝
C.氮化硅用低壓CVD工藝
D.氧化層用熱氧化工藝

5.多項(xiàng)選擇題1990’s CMOS IC 工藝技術(shù)特征是（）。

A.淺槽隔離工藝
B.鋁柵工藝
C.多晶硅柵工藝
D.硅外延片襯底