多項(xiàng)選擇題采用二氧化硅薄膜作為柵極氧化層,是利用其具有的()
A.高電阻率;
B.高化學(xué)穩(wěn)定性;
C.低介電常數(shù);
D.高介電強(qiáng)度。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題微電子器件對(duì)加工環(huán)境的空氣潔凈度有著嚴(yán)格的要求。我國(guó)潔凈室及潔凈區(qū)空氣中懸浮粒子潔凈度標(biāo)準(zhǔn)GB50073-2001中,100級(jí)的含義是:每立方米空氣中大于等于0.1m的懸浮粒子的最大允許個(gè)數(shù)為()
A.35;
B.100;
C.102;
D.237。
最新試題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型:判斷題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有()。
題型:多項(xiàng)選擇題