化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

常壓的硅外延方法有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

摻雜后退火時間一般在（）。