CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）