多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。