試說明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。

在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

在PN 結(jié)形成過程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。

下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是（）

自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。

結(jié)電容是常量。

普通二極管是由PN 結(jié)引出電極封裝而成的。

試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。