列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴散機制。

關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）

自由電子是載流子，空穴不是。

漂移運動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

試說明半導(dǎo)體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

試說明橫向擴散以及橫向擴散的主要影響。

在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。

純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。

與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。

OED/ORD