芯片粘接的工藝過程包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

光刻工藝的特點包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。