光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。