光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。