問(wèn)答題簡(jiǎn)述化學(xué)氣相淀積的原理？
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光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
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摻雜后，退火的目的是（）。
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進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
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常壓的硅外延方法有（）。
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CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
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硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題