問答題CZ法提單晶的工藝流程。說明CZ法和FZ法。比較單晶硅錠CZ、MCZ和FZ三種生長(zhǎng)方法的優(yōu)缺點(diǎn)。
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進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
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封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
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CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）
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消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
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摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
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下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
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影響封裝芯片特性的溫度有（）。
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CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
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硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題