1.電阻率的減小。 2.減小了功耗。 3.更高的集成密度。 4.良好的抗電遷徙性能。 5.更少的工藝步驟。
1.離子源 2.引出電極和離子分析器 3.加速管 4.掃描系統(tǒng) 5.工藝室
最新試題
金屬化中可選用的金屬材料有()。
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是()。
摻雜后,退火的目的是()。
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
消除鳥嘴效應的方法有()。
進行溝槽填充常用的金屬材料是()。
光刻工藝對準誤差包括()。
新的平坦化方法有哪幾個?()
厚膜電阻的成分,一是導體顆粒,二是()。